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上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 最大离子束流 > 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用.
KRI 射频离子源 RFICP 380 特性：
1. 放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配
2. 离子源结构模块化设计
3. 离子光学, 自对准技术, 准直光束设计, 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
4. 全自动控制器
5. 离子束动能 100-1200eV
6. 栅极口径 38cm, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用
射频离子源 RFICP 380 技术规格：
阳极 | 电感耦合等离子体 |
最大阳极功率 | >1kW |
最大离子束流 | > 1000mA |
电压范围 | 100-1500V |
离子束动能 | 100-1200eV |
气体 | Ar, O2, N2,其他 |
流量 | 5-50sccm |
压力 | < 0.5mTorr |
离子光学, 自对准 | OptiBeamTM |
离子束栅极 | 38cm Φ |
栅极材质 | 钼或石墨 |
离子束流形状 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000 |
高度 | 38.1 cm |
直径 | 58.2 cm |
锁紧安装法兰 | 12”CF |
上海伯东美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134