品牌:Hakuto
均匀性:±5%
硅片 Si 刻蚀率:≥20 nm/min
离子源:20cm 考夫曼离子源
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上海伯东日本原装进口适合中等规模量产使用的 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C. 无论使用什么材料都可以用来加工.
蚀刻均匀性: ±5%, 硅片 Si 刻蚀速率 ≥ 20 nm/min, 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0~±90度旋转, 因此射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等加工形状.
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 主要优点:
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国 KRI 考夫曼离子源
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.
技术参数:
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φ4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< Ф3 inch X 8片 |
可选 |
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样品台 |
样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0~±90度旋转 |
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离子源 |
20cm 考夫曼离子源 |
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均匀性 |
±5% for 8”Ф |
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硅片 Si 刻蚀率 |
≥20 nm/min |
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温度 |
<100 |
组成:
通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
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