品牌:Hakuto
均匀性:±5%
硅片 Si 刻蚀率:≥20 nm/min
离子源:ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75
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上海伯东日本原装进口小型 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE, 适用于科研院所, 实验室研究, 干式制程的微细加工装置, 特别适用于磁性材料, 金, 铂及各种合金的铣削加工.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 配置使用美国 KRI Φ8cm 考夫曼离子源, 蚀刻均匀性: ±5%, 硅片 Si 刻蚀速率 ≥20 nm/min, 样品台: 直接冷却(水冷), 0~±90度旋转, 因此射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等加工形状.
主要优点
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国 KRI 考夫曼离子源
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.
技术规格:
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真空腔 |
1 set, 主体不锈钢,水冷 |
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基片尺寸 |
1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却, |
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离子源 |
ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75 |
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离子束入射角 |
0 Degree～± 90 Degree |
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极限真空 |
≦1x10-4 Pa |
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蚀刻均匀性 |
一致性: ≤±5% across 4” |
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硅片 Si 蚀刻速率 |
≥20 nm/min |
通不同气体的蚀刻速率:
