品牌:KRI
离子束流:>100 mA
栅极直径:4 cm Φ
流量:3-10 sccm
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上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 40, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.
KRI 射频离子源 RFICP 40 属于大面积射频离子源, 离子束流: >100 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.
适用于集成在小型的真空腔体内.
特性:
1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性
技术参数:
离子源型号
RFICP 40
Discharge
RFICP 射频
离子束流
>100 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
4 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
12.7 cm
直径
13.5 cm
中和器
LFN 2000
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
应用领域：
1. 预清洗
2. 表面改性
3. 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
4. 溅镀和蒸发镀膜 PC
5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD
6. 离子蚀刻 IBE