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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE

点击图片查看原图
 
品牌: Hakuto
均匀性: ±5%
硅片刻蚀率: 20 nm/min
离子源: 4 cm,8cm,10cm,16cm 考夫曼离子源
单价: 1.00元/台
起订: 1 台
供货总量: 1000 台
发货期限: 自买家付款之日起 60 天内发货
所在地: 上海
有效期至: 长期有效
最后更新: 2021-01-21 10:07
浏览次数: 90
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公司基本资料信息
详细说明

上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE.

蚀刻均匀性: ±5%, 刻蚀速率: 20 nm/min, 样品台: 直接冷却(水冷)0-90 度旋转.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源产生轰击离子;

终点检出器采用 Pfeiffer 残余气体质谱分析仪监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.


Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 主要优点

1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.

2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.

3. 配置使用美国考夫曼离子源.

4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.

5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.

6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.

7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.


技术参数:

基板尺寸

< Ф8 X 1wfr

 NS 离子刻蚀机检测器

可选

样品台

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

离子源

4 cm,8cm,10cm,16cm
考夫曼离子源

均匀性

±5% for 4”Ф

硅片刻蚀速率

20 nm/min

温度

<100

组成:
NS 离子刻蚀机

通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
NS 离子蚀刻机

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